武漢電氣網(wǎng)

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共找到 198 條信息
  • 雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量
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    2025-02-27
  • GaN HEMT器件特性測(cè)試儀

    GaN HEMT器件特性測(cè)試儀

    GaN HEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。GaN HEMT器件特性測(cè)試儀就找普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測(cè)試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓
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    2025-02-27
  • 高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁
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    2025-02-27
  • KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    E系列KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充
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    2025-02-27
  • PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 超窄至1us的脈沖； 大到30A的脈沖電流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 豐富的軟件接口； PL202型脈沖式直流電源應(yīng)用 醫(yī)療、美容激光器，典型波長(zhǎng)為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源，典型波長(zhǎng)為53
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?，詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
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    2025-02-27
  • led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降
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    2025-02-27
  • 二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&
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    2025-02-27
  • 硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置
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    2025-02-27
  • 大電流脈沖源表100A直流源表

    大電流脈沖源表100A直流源表

    HCP系列大電流脈沖源表100A直流源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用
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    2025-02-27
  • uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源

    uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源

    uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、
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    2025-02-27
  • 國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量，更準(zhǔn)確的
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    2025-02-27
  • 寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表

    寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表

    寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2
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    2025-02-27
  • 寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源

    寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源

    GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（I-V測(cè)試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試）、功率特性（Load-Pull測(cè)試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定
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    2025-02-27
  • 光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表

    光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表

    光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電
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    2025-02-27
  • 光電二極管性能測(cè)試精密源表

    光電二極管性能測(cè)試精密源表

    光電探測(cè)器光電測(cè)試 光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線儀

    半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線儀

    半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢18140663476；普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案? S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能
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    2025-02-27
  • 精密電流源直流源表

    精密電流源直流源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%
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    2025-02-27
  • 功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備

    功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備

    普賽斯功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 單臺(tái)Z大3500V輸出； 單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 15us的超快電流上升沿； 同步測(cè)量； 國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試； 可定制夾具； nA級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量； 測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線掃描儀器

    半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線掃描儀器

    眾所周知，半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線掃描儀器應(yīng)用的專業(yè)領(lǐng)域十分廣泛，分別有：微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學(xué)與工程、材料與能源、電子科學(xué)與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾
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    2025-02-27
  • 電參數(shù)測(cè)量多合一數(shù)字源表

    電參數(shù)測(cè)量多合一數(shù)字源表

    分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過多測(cè)
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    2025-02-27
  • igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀

    igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀

    普賽斯igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如
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    2025-02-27
  • pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表

    pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點(diǎn)： 多
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析源表

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析源表

    半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件，用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中，是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)化控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣
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    2025-02-27
  • 電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源

    電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源

    電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)
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    2025-02-27
  • 直流30A大電流數(shù)字源表

    直流30A大電流數(shù)字源表

    HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用 ?納米材
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    2025-02-27
  • SMU電流模塊

    SMU電流模塊

    SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能
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    2025-02-27
  • 功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀

    功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀

    普賽斯功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如
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    2025-02-27
  • 壓力傳感器測(cè)試儀

    壓力傳感器測(cè)試儀

    通常，壓力傳感器Ⅳ特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表

    半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表

    半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，對(duì)標(biāo)美國(guó)2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高至300V，電流低至10pA；支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏
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    2025-02-27
  • 數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信
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    2025-02-27
  • SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過對(duì)半導(dǎo)體高
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀

    半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀

    實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體。可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其
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    2025-02-27
  • 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀

    電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀

    電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反（或輔助）電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量，然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS，使E為希望的電位值，這時(shí)使用萬(wàn)用表測(cè)量流入WE的電流I。之后
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    2025-02-27
  • 功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A

    功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A

    普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)
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    2025-02-27
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