武漢周邊電氣網(wǎng)信息
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半導體電學參數(shù)測試設備iv+cv測試機
半導體電學參數(shù)測試設備iv+cv測試機優(yōu)勢： IV、CV一鍵測；一體機，支持遠程指令控制；支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢18140663476 SPA-6100半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高面議2025-06-13 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測量精度均可達0.1%，可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應用 ?納米材料面議2025-06-13 -
功率mos管電性能分析IV測試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適面議2025-06-13 -
半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀
SPA-6100半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料面議2025-06-13 -
功率器件CV測試系統(tǒng)+CV測試儀
系統(tǒng)方案 普賽斯功率器件CV測試系統(tǒng)+CV測試儀主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。 進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一面議2025-04-08 -
LIV光電特性測試脈沖恒流源
LIV光電特性測試脈沖恒流源認準普賽斯儀表，廠家直銷，服務完善，詳詢一八一四零六六三四七六；PL系列脈沖電流源是針對大功率激光器LIV測試而研制的，觸摸顯示屏全圖形化操作，高靈敏度寬帶光功率檢測，內(nèi)置LIV測試軟件加速用戶完成測試，具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流面議2025-04-08 -
半導體特性曲線測試儀IV曲線掃描儀
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
半導體分立器件靜態(tài)測試設備
普賽斯半導體分立器件測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六面議2025-04-08 -
功率器件功能高壓測試模塊
E系列功率器件功能高壓測試模塊特點和優(yōu)勢： 十ms級的上升沿和下降沿； 單臺最大3500V的輸出； 0.1%測試精度； 同步電流或電壓測量； 支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；詳詢一八一四零六六三四七六； 部分參數(shù) 最大輸出功率：350W，3500V面議2025-04-08 -
國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀1200V/100A
SPA-6100國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試；SPA-6100半導體參數(shù)分析儀可以幫助面議2025-04-08 -
大電流電源3000A電流源
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-04-08 -
E系列功率器件功能高壓測試模塊
武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。 未來，普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案，以更優(yōu)面議2025-04-08 -
旁路二極管熱性能測試脈沖電流源
熱斑效應：太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當作負載消耗其他有光照的太陽電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽能電池板正負極兩端之間的二極管，面議2025-04-08 -
apd暗電流測試數(shù)字源表
在APD的光電特性中，暗電流是一個重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測試的準確性對于評估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進行APD暗電流測試時，通常面臨如下挑戰(zhàn)：測試環(huán)境影響、連接面議2025-04-08 -
二三極管iv測試儀iv曲線掃描儀
半導體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導體為基材時,半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導體為基材時,半導體分立器件主要包括:SiC.GaN半導體功率器件。面議2025-04-08 -
高電壓大電流功率器件測試機
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-04-08 -
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實時測試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應靈敏; 在低電壓下進行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測量，測試設備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機實時顯示各不同壓敏電阻R/t曲線，并可記錄存檔。 S系列源表+上位機軟件面議2025-04-08 -
1200V半導體分析儀替代4200
SPA-6100型1200V半導體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、面議2025-04-08 -
霍爾測試系統(tǒng)霍爾測試儀
產(chǎn)品簡介 霍爾測試系統(tǒng)霍爾測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達到300A/us級面議2025-04-08 -
DC參數(shù)測試iv掃描源表
芯片測試作為芯片設計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測，區(qū)別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一，常用的測試方法是FIMV（加電流測電壓）面議2025-04-08 -
分立器件檢測儀iv+cv測試儀
SPA-6100分立器件檢測儀iv+cv測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半面議2025-04-08 -
高電壓大電流-半導體功率測試設備
PMST系列高電壓大電流-半導體功率測試設備是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB面議2025-04-08 -
SMU數(shù)字源表搭建場效應晶體管IV特性測試實驗平臺
本科生微電子器件及材料實驗目錄 實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗 實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗 實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗 實驗四：半導體霍爾效應測試實驗 實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗 實驗六：太陽能電面議2025-04-08 -
CV測試系統(tǒng)_CV測試儀_提供0V~3500V偏壓范圍
CV測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上，內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;詳面議2025-04-08 -
電流-導通電壓掃描測試脈沖電源300A大電流源
普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。單臺輸出電流300A，支持至少六臺以上多設備并聯(lián)測量。設備主要針對晶圓測試，可用于300A面議2025-04-08 -
8000V半導體測試高壓程控電源
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(8000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~8000V，輸出及測量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測面議2025-04-08 -
電流響應時間測試脈沖電源
普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。 設備可廣泛應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設面議2025-04-08 -
IC電氣特性測試數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
GaN SiC三代半功率器件測試設備
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬面議2025-04-08 -
半導體分立器件電性能iv測試系統(tǒng)
半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，還占面議2025-04-08 -
電流脈沖電源1μs窄脈寬
PL系列窄脈沖LV測試系統(tǒng)是為大功率激光器LV測試而研制的，大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時發(fā)熱嚴重，而激光器特性受溫度影響非常大，直流或?qū)捗}沖下的測試結果并不能反映器件特性。 PL系列產(chǎn)品具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光峰值功率檢測、支持激 -
IC芯片電特性測試數(shù)字源表
IC芯片電特性測試數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術支持，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對標2400、2450、2611、2601B、2651面議2025-04-08 -
wat半導體參數(shù)測試設備_晶圓片檢測儀
SPA-6100wat半導體參數(shù)測試設備_晶圓片檢測儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材面議2025-04-08 -
igbt靜態(tài)性能測試設備
普賽斯igbt靜態(tài)性能測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測試項目 集面議2025-04-08 -
晶圓/芯片微弱電流測試VI源表
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測試VI源表標準的SCPI指令集，Y秀的性價比，良好的售后服務與技術支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應用 分立器件特性測試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、面議2025-04-08 -
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢： IV、CV一鍵測；一體機，支持遠程指令控制；支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試；詳詢一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力； 測量精度高,全量程下可面議2025-04-08
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