PRX整流管R7200209電焊機(jī)經(jīng)久耐用

功率特性	大功率	型號	齊全
封裝形式	功率型	封裝材料	陶瓷封裝
材料	硅	結(jié)構(gòu)	平面型
頻率特性	中頻

PRX整流管R7200209電焊機(jī)經(jīng)久耐用

整流二極管常用參數(shù)：
1、大平均整流電流IF：指二極管長期工作時(shí)允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A；
2、高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V；
3、大反向電流IR：它是二極管在高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。因此這個(gè)電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好；
4、擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)，則指給定反向漏電流條件下的電壓值；
5、高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復(fù)二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關(guān)電源中；
6、反向恢復(fù)時(shí)間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間；
7、零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，例如在25°C時(shí)測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。

整流二極管損壞原因：
1、防雷、過電壓保護(hù)措施不力。整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置，即使設(shè)置了防雷、過電壓保護(hù)裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管；
2、運(yùn)行條件惡劣。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組，因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求，使發(fā)電機(jī)長期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作，促使整流管加速老化，并被過早地?fù)舸p壞；
3、運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞；
4、設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過關(guān)。由于發(fā)電機(jī)組長期處于較大的振動(dòng)之中運(yùn)行，使整流管也處于這一振動(dòng)的外力干擾之下；同時(shí)由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時(shí)高時(shí)低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便大大地加速了整流管的老化、損壞；
5、整流管規(guī)格型號不符。更換新整流管時(shí)錯(cuò)將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯(cuò)誤，造成整流管擊穿損壞；
6、整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發(fā)電機(jī)勵(lì)磁回路中發(fā)生的過電壓或過電流暫態(tài)過程峰值的而損壞。

整流二極管的根本構(gòu)造是 PN 結(jié) （ P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體聯(lián)系后 ， 在兩者的聯(lián)系而構(gòu)成一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是PN結(jié)）。在 PN 結(jié)的空間電荷內(nèi) ，電子元件勢能發(fā)生了變化 ，電子要從 N 區(qū)到 P 區(qū)有必要越過一個(gè)能量高坡 （ 通常稱為勢壘） ，因而又把空間電荷區(qū)稱為勢壘區(qū) 。當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時(shí)，勢壘降低，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向分散電流，稱該狀況為正導(dǎo)游通狀況。當(dāng)PN結(jié)加反向電壓時(shí)，勢壘增加，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流 ，稱該狀況為反向阻斷狀況 ，此刻 PN 結(jié)處于反向偏置狀況。

整流二極管是面觸摸型二極管，結(jié)面積較大，能接受較大的正向電流和較高的反向電壓，功能比較穩(wěn)定，首要用在把溝通電變換成直流電的整流電路中。整流二極管的結(jié)電容較大 ，因而它不宜作業(yè)在高頻電路中 。整流二極管用半導(dǎo)體或硅等資料制成 ，具有顯著的單導(dǎo)游電性。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫功能杰出。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制作（摻雜較多時(shí)簡單反向擊穿）。整流二極管有金屬和塑料兩種封裝。整流二極管的首要技術(shù)參數(shù)包含大整流電流 、大反向作業(yè)電壓、反向飽和電流高作業(yè)頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等 。

整流二管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正和負(fù)兩個(gè)端子。二管重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中，電流只能從二管的正流入，?fù)流出。

整流二管具有明顯的單向?qū)щ娦?。整流二管可用半?dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿）。這種器件的結(jié)面積較大，能通過較大電流（可達(dá)上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二管主要用于低頻半波整流電路，如需達(dá)到全波整流需連成整流橋使用。