二氧化硫氣體腐蝕測(cè)試,日本山崎精機(jī)

150元2024-11-12 15:40:16
  • 深圳市一通檢測(cè)技術(shù)有限公司
  • 氣體腐蝕試驗(yàn)
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二氧化硫氣體腐蝕測(cè)試,日本山崎精機(jī)

測(cè)試目的：
用于確定零部件、電子元件、金屬材料、電工、電子等產(chǎn)品的防護(hù)層以及工業(yè)產(chǎn)品的在Cl2氣體中的腐蝕能力。
測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：
ISO 21207
GB/T2423.51-2000
IEC 68-2-60:1995
GB/T 2423.33-2005
GB/T 2423.19-1981 等。


測(cè)試目的和意義：
大多數(shù)產(chǎn)品所使用的環(huán)境都是在大氣中，而大多數(shù)的腐蝕發(fā)生在大氣環(huán)境中，大氣中含有氧氣、濕度、溫度變化和污染物等腐蝕成分和腐蝕因素。大氣環(huán)境導(dǎo)致金屬表面形成水膜，在大氣中存在H2S、SO2、NO2、Cl2等有害氣體溶入金屬表面上所形成的水膜中，作為腐蝕性離子從而加速腐蝕進(jìn)程。

參考標(biāo)準(zhǔn)
ISO 21207人工大氣中的腐蝕試驗(yàn) 交替暴露在腐蝕性氣體、中性鹽霧及干燥環(huán)境中的加速腐蝕試驗(yàn)
GB/T2423.51-2000 (idt IEC 68-2-60:1995)電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke: 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn);
GB/T 2423.33-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn);
GB/T 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc：接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法

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