高壓MOS管的工作原理

高壓MOS管的柵極-源極間電阻很大，可達10GΩ以上，噪音低、熱穩(wěn)定性好、防輻射能力強、耗電省，集成化時工藝簡單，因此廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路之中。高壓MOS管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID“，更準確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。?

?

高壓MOS管的工作原理：

高壓MOS管工作原理就是在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大。根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。高壓MOS管從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和，將這種狀態(tài)稱為夾斷，這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

?

高壓MOS管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動，但是此時高壓MOS管漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近。由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層，因此漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS（off），此時高壓MOS管過渡層大概成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)，而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不可流通。?