文章摘要: SIT1021具有超低功耗休眠模式,芯片在休眠模式下,流過VBAT腳電流典型值僅為3uA;SLP_N腳控制芯片進入正常運轉(zhuǎn)模式和休眠模式,當SLP_N腳為高電平時,芯片進入正常運轉(zhuǎn)模式;當SLP_N腳為低電平時,芯片進入休眠模式;SLP_N腳內(nèi)置弱下拉(國外同類芯片一樣內(nèi)置
SIT1021具有超低功耗休眠模式,芯片在休眠模式下,流過VBAT腳電流典型值僅為3uA;SLP_N腳控制芯片進入正常運轉(zhuǎn)模式和休眠模式,當SLP_N腳為高電平時,芯片進入正常運轉(zhuǎn)模式;當SLP_N腳為低電平時,芯片進入休眠模式;SLP_N腳內(nèi)置弱下拉(國外同類芯片一樣內(nèi)置弱下拉),較容易受外界干擾影響,上電后用手觸摸此管腳可以引起芯片進入正常運轉(zhuǎn)模式;這樣如果在干擾比較強的應用環(huán)境中SLP_N端口可能會受干擾被誤觸發(fā),造成功能不良。SIT1021管腳圖如下: 有客戶在使用SIT1021時發(fā)現(xiàn),上電瞬間SLP_N端口有一個幅值為2.8V尖峰電壓,造成芯片由上電模式進入休眠模式,如下圖(綠色通道為SLP_N腳波形、藍色通道為INH腳波形): 測量此尖峰電壓,高于2V幅值的電壓持續(xù)時間為6us左右,滿足芯片由上電模式進入正常運轉(zhuǎn)模式高電平要求(高電平閾值為2V~7V,持續(xù)時間2us~10us),當干擾尖峰過后,SLP_N被拉低從而進入休眠模式,造成INH腳關(guān)閉輸出,控制MCU供電的LDO使能腳被置低,關(guān)閉輸出,MCU掉電;不可收發(fā)數(shù)據(jù),造成功能異常(國外同類芯片也會出現(xiàn)此現(xiàn)象)。解決方法為:在SLP_N腳對GND并聯(lián)一個470nF~1uF電容濾波,將干擾幅值濾波到SLP_N低電平閾值以下(閾值為-0.3V~0.8V),下圖是在SLP_N并聯(lián)470nF電容后干擾的波形: 干擾幅值(綠色通道)由原來的2.8V下降為0.33V左右,此時INH(藍色通道)輸出高,各功能均能正常運轉(zhuǎn)。 此外為了加強芯片的抗干擾能力,可在芯片VBAT腳對GND腳接一個100nf電容和一個大容量電容,也可以在VBAT上串一個磁珠。
芯力特LIN收發(fā)器芯片SIT1021使能端口SLP_N抗干擾設(shè)計
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