離子源廠家：離子源技術(shù)及其在真空鍍膜中的應(yīng)用

? 離子源廠家分享離子源是使中性原子或分子電離并從中吸取離子束的設(shè)備。 它是受控聚變?cè)O(shè)備中各種類型的離子加速器，質(zhì)譜儀，電磁同位素分離器，離子注入機(jī)，離子束刻蝕設(shè)備，離子推進(jìn)器和中性束注入機(jī)必不可少的部分。

??氣體放電，電子束與氣體原子（或分子）的碰撞，帶電粒子束會(huì)在工作材料的濺射和表層電離過程當(dāng)中產(chǎn)生離子，并被抽成束。 根據(jù)不同的使用條件和目的，已經(jīng)開發(fā)了多種類型的離子源。 廣泛使用的電弧放電離子源，PIG離子源，雙等離子體離子源和雙彭源均基于氣體放電過程，通常通常稱為電弧源。高頻離子源通過氣體中的高頻放電產(chǎn)生離子，具有廣泛的用途。 新型重離子源的出現(xiàn)大大增加了重離子的電荷狀態(tài)。 其中，電子回旋共振離子源（ECR）和電子束離子源（EBIS）更加成熟。 具有兩種性能更好的負(fù)離子源：轉(zhuǎn)移型和濺射型。 在某些條件下，基于氣體放電過程的各種離子源可以提供一定的負(fù)離子束電流。 離子源是具有廣泛應(yīng)用的主題。 在原子物理學(xué)，等離子體化學(xué)，核物理等許多基礎(chǔ)研究領(lǐng)域中，離子源是非常重要且必不可少的設(shè)備。

??在離子源推進(jìn)器實(shí)驗(yàn)中，發(fā)現(xiàn)推進(jìn)器材料飛出了離子源，這開始了離子源在材料中的應(yīng)用，尤其是材料的表層改性。 離子源的另一個(gè)重要應(yīng)用是高能物理。 具體而言，它是離子促進(jìn)劑。 簡(jiǎn)單地說，離子源用于生成某種材料的離子，并且該離子在磁環(huán)上加速，從而轟擊目標(biāo)，產(chǎn)生新物質(zhì)或揭示新的物理定律。

離子源廠家：離子源技術(shù)及其在真空鍍膜中的應(yīng)用

??真空鍍膜中使用的離子源

??有很多種。 主要包括：高頻離子源，電弧放電離子源，考夫曼離子源，射頻離子源，霍爾離子源，冷陰離子源，電子回旋離子源，陽離子離子源，電感耦合離子源，可能還有許多其他類型 沒有提及離子源。

??盡管離子源類型很多，但目的是在線清理，改善電鍍表層的能量分布并進(jìn)行調(diào)節(jié)以增加反應(yīng)氣體的能量。 離子源可以大大提高膜與基底之間的結(jié)合強(qiáng)度，同時(shí)膜本身的硬度，耐磨性和耐腐蝕性也將得到改善。

??高頻離子源

??稀有氣體中的高頻放電現(xiàn)象用于使氣體電離。 它通常用于生成低電荷的正離子，有時(shí)會(huì)從中吸取負(fù)離子，用作負(fù)離子源。

??在高頻電場(chǎng)中，自由電子與氣體中的原子（或分子）發(fā)生碰撞并使它們離子化。 由于帶電粒子的繁殖，形成了放電并產(chǎn)生了大量的等離子體。 高頻離子源的放電管通常由派熱克斯玻璃或石英管制成。 高頻場(chǎng)可以由管子外部的電磁線圈或管子外面的套環(huán)產(chǎn)生。 前者稱為電感耦合，后者稱為電容耦合。 高頻振蕩器的頻率為10到10 Hz，輸出功率高于數(shù)百瓦。

??有兩種方法可以從高頻離子源中提取離子。 一種是在放電管的頂部插入鎢絲作為正極，在放電管的末端安裝一個(gè)帶有孔的負(fù)極，并將該孔制成管狀以抽出離子電流。 另一種方法是將正極部分制成帽子形狀，并將其安裝在引出線附近，而放電區(qū)域在其另一側(cè)。 無論采用哪種提取方法，都應(yīng)將金屬包裹在石英或玻璃中，以減少金屬表層上離子的重組。

??當(dāng)對(duì)高頻放電區(qū)域施加恒定磁場(chǎng)時(shí)，由于共振現(xiàn)象，可以增加放電區(qū)域中的離子濃度。 有時(shí)，不均勻的磁場(chǎng)會(huì)添加到引出區(qū)域以改善引出。

??電弧放電離子源

??在均勻磁場(chǎng)中，離子源通過熱發(fā)射電子來維持氣體放電。 為了減少氣體消耗，通常關(guān)閉排放區(qū)域。 制成圓柱形，該軸平行于磁場(chǎng)方向。 磁場(chǎng)可以很好地限制發(fā)射的電子流，并使腔中氣體的原子（或分子）電離，從而形成具有高等離子體密度的電弧柱。 可以從垂直于軸向方向的一側(cè)或沿著軸向方向引出離子束。