霍爾離子源的主要特色

　　霍爾離子源用于在真空鍍膜過(guò)程當(dāng)中通過(guò)離子轟擊清理基板，并在沉積過(guò)程當(dāng)中傳遞離子轟擊能量輸送。

　　廣泛應(yīng)用于：增透膜、玻璃鍍膜、光纖、高鏡、熱/冷鏡、低漂移濾光片、帶通濾光片、在線清洗、類金剛石積碳等。

　　可改善膜的生長(zhǎng)，優(yōu)化膜的結(jié)構(gòu)，增加涂層的一致性和重復(fù)性，低溫高速涂層，去除工件表層的水和碳?xì)浠衔?，增加膜密度，下?低內(nèi)應(yīng)力，去除結(jié)合力弱的分子，反應(yīng)氣體活性增加，薄膜成分易于控制。

　　主要特征：

　　霍爾離子源可滿足輔助鍍膜工藝要求，其突出特色是小型化、結(jié)構(gòu)緊湊、拆裝方便。 在制造高質(zhì)量光學(xué)薄膜時(shí)，有助于提高薄膜的附著力、密度、吸收率和折射率。

　　該離子源電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜所需的大面積均勻離子束電流。 單源可滿足600mm-1600mm鍍膜機(jī)的離子束輔助鍍膜需求。

　　結(jié)構(gòu)先進(jìn)：

　　充分借鑒國(guó)內(nèi)外先進(jìn)霍爾離子源的優(yōu)點(diǎn)，具有獨(dú)特的水冷密封結(jié)構(gòu)。 經(jīng)過(guò)多次長(zhǎng)期實(shí)驗(yàn)，證明該離子源在大等離子束流下能長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。

　　能在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠工作：

　　在通常的鍍膜過(guò)程當(dāng)中，工件需要被加熱到非常高的溫度，整個(gè)真空室內(nèi)的溫度都非常高。 該離子源良好的冷卻系統(tǒng)可以保證離子源在300℃的高溫環(huán)境下長(zhǎng)期正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　等離子束電流大：

　　為避免對(duì)基材造成損傷，需要使用低能大束流等離子進(jìn)行輔助鍍膜。 過(guò)去，國(guó)內(nèi)使用的束流大多很小(<1.5A)，難以達(dá)到預(yù)期的效果。

　　空間均勻性強(qiáng)：

　　由于磁路和放電區(qū)結(jié)構(gòu)的獨(dú)特設(shè)計(jì)，以離子源軸為中心的30度錐體內(nèi)等離子態(tài)強(qiáng)度的均勻性可以保持在±20%以內(nèi)。

　　完全適用于反應(yīng)氣體：

　　在離子束輔助反應(yīng)沉積工藝中，通常需要使用氧氣或氮?dú)馀c蒸發(fā)的薄膜材料發(fā)生反應(yīng)，以沉積所需的薄膜。 在這個(gè)過(guò)程當(dāng)中，提高反應(yīng)氣體的活性和能量對(duì)于形成高質(zhì)量的薄膜至關(guān)重要。 在完全通入反應(yīng)氣體使其電離的情況下，離子源可以正常運(yùn)轉(zhuǎn)而不會(huì)中毒。

　　安裝方便，維護(hù)簡(jiǎn)單，運(yùn)行成本低：

　　這種離子源的安裝非常簡(jiǎn)單，耗材只有燈絲，日常維護(hù)工作主要是更換燈絲。