壓電傳感器過載的保護(hù)方法

壓電傳感器有許多參數(shù)指示器，其中之一是過載保護(hù)，過載是指高于設(shè)備本身額定負(fù)載的過載?，F(xiàn)象是電流過大，電氣設(shè)備發(fā)熱，線路長(zhǎng)期過載會(huì)下降線路的絕緣水平，甚至燒毀傳感器設(shè)備或線路；過載保護(hù)是指即使負(fù)荷高于額定負(fù)荷，線路也不會(huì)燒壞，但有一定程度，一般為150%，過載運(yùn)行不可繼續(xù)。

壓電傳感器有多種類型，每種結(jié)構(gòu)的過載保護(hù)設(shè)計(jì)方法也不同。許多方法都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的小量程高靈敏度壓力傳感器通常有平膜片、島膜片、梁膜等結(jié)構(gòu)，在設(shè)計(jì)過載保護(hù)時(shí)通常采用凸點(diǎn)等方法實(shí)現(xiàn)。

形成方法包括背蝕刻技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)和玻璃蝕刻技術(shù)。然而，這些結(jié)構(gòu)通常具有很大的局限性，因?yàn)榭涨怀叽绱?，靈敏度進(jìn)一步受到限制，并且硅晶片的利用率下降，制造工藝的復(fù)雜性增加，并且生產(chǎn)成本增加。

目前，小量程高靈敏度壓電傳感器的研究主要集中在犧牲層結(jié)構(gòu)的壓力傳感器上。這主要是因?yàn)闋奚鼘咏Y(jié)構(gòu)壓力傳感器的彈性膜片很薄，厚度可以是2m甚至更薄。

在這樣薄的結(jié)構(gòu)中，如果采用擴(kuò)散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的應(yīng)變電阻，其厚度相對(duì)較大，這對(duì)彈性膜片的應(yīng)力分布有很大影響，不利于犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的性能優(yōu)化。因此，通過使用多晶硅納米薄膜來制造應(yīng)變電阻器，可以進(jìn)一步利用犧牲層技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

過載保護(hù)是每個(gè)傳感器都要考慮的因素，因?yàn)樵谑褂眠^程當(dāng)中，測(cè)量值可能會(huì)大于范圍。只有設(shè)計(jì)有過載保護(hù)的傳感器才能更好地使用，并且可以使用更長(zhǎng)時(shí)間。

如何為每個(gè)壓電傳感器設(shè)計(jì)過載保護(hù)有不同的過載范圍，所以無論你買什么樣的傳感器，你都必須知道它有多少過載保護(hù)，以便將來可以更方便地使用。由于過載，沒有電路燒壞。