MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2474J000,TDK新能源汽車電容

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  • TDK突波吸收電容
  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656T0474K,薄膜電容器B32656A7105K000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A8105J000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A8105K000
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656J2474J000,TDK新能源汽車電容

薄膜電容有哪些用途?
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號(hào)傳輸
特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途:旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時(shí)、電路振蕩器

特性:(1)優(yōu)異的抗脈沖能力;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:專門(mén)設(shè)計(jì)用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性:
(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)
高容量穩(wěn)定性,采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封,電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號(hào)傳輸

特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性


TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路,尺寸僅為40 mm x 58 mm(深x長(zhǎng)),額定電壓為直流350 V DC,電容值為65 μF。這意味著,這款訂貨號(hào)為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度,可提供比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高出50%的電容量。此外,新電容器占用的印刷電路板 (PCB) 空間相對(duì)較小,且等效串聯(lián)電阻 (ESR) 僅為10 mΩ,紋波電流能力強(qiáng),達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹(shù)脂密封材料,均具備UL 94 V0的阻燃等級(jí),工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計(jì),當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時(shí)會(huì)自動(dòng)跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波,如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波,一般直流應(yīng)用

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

超緊湊尺寸:40 mm x 58 mm(深x長(zhǎng))

超高電容密度:0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 (ESR):僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開(kāi)發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過(guò)薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì),與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過(guò)這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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