其內(nèi)有偏心渦輪在軌道上高速回轉(zhuǎn)而產(chǎn)生大功率的離心力。殼體由-擠壓成形烤漆鋁件與硬處理的底板構(gòu)成。偏心渦輪由二個(gè)高功率，預(yù)潤(rùn)滑的匹配有護(hù)圈軸承支持。采用軸承的內(nèi)座圈與外座圈的設(shè)計(jì)，只需利用-銷子扳手就很容易更換軸承、利用左旋與右旋螺紋固定的底板系自動(dòng)鎖定。另

產(chǎn)品名稱 高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱 一、產(chǎn)品用途 產(chǎn)品適用于考察 電工電子產(chǎn)品、元器件、零部件及其材料在不同溫濕度條件下，其耐潮濕能力，還可以作為在高低溫環(huán)境下儲(chǔ)存、運(yùn)輸和使用的適應(yīng)性試驗(yàn)。 二、產(chǎn)品規(guī)格(單位：mm) 三、技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍：-70℃～150℃(E)

技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍：-20℃～150℃（A）、-30℃～150℃(B)、-40℃～150℃(C)、-60℃～150℃(D)、-70℃～150℃(E) 2.濕度范圍：30%～98%R.H（溫度在25℃～95℃） 3.溫度均勻度：≤±2℃ （空載時(shí)） 4.濕度均勻度：+2% -3%R.H 5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃ （空載時(shí)） 6.濕度波動(dòng)度：±2% 7

技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍：-40℃～150℃(D) 2.濕度范圍：30%～98%R.H（溫度在25℃～95℃） 3.溫度均勻度：≤±2℃ （空載時(shí)） 4.濕度均勻度：+2% -3%R.H 5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃ （空載時(shí)） 6.濕度波動(dòng)度：±2% 7.溫度偏差：≤±2℃ 8.濕度偏差：≤±2% 9.降溫速率：0.7～1.0℃/min

技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍：-40℃～150℃(D) 2.濕度范圍：30%～98%R.H（溫度在25℃～95℃） 3.溫度均勻度：≤±2℃ （空載時(shí)） 4.濕度均勻度：+2% -3%R.H 5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃ （空載時(shí)） 6.濕度波動(dòng)度：±2% 7.溫度偏差：≤±2℃ 8.濕度偏差：≤±2% 9.降溫速率：0.7～1.0℃/min

技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍：室溫+10℃～200℃；或室溫+10℃～300℃； 2.溫度波動(dòng)度：±1℃ （空載時(shí)）； 3.升溫速率： 3～5℃/min； 4.試驗(yàn)定時(shí)范圍：1～9999（s、m、h）可調(diào)； 5.換氣時(shí)間：1～99（s、m、h）可調(diào)； 6.換氣量：3～10次/小時(shí)、50～100次/小時(shí)、 100～200次/小時(shí)（訂

半導(dǎo)體特性曲線儀iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試；詳詢18140663476 典型應(yīng)用： 納米、柔性等材料特性分析； 二極管； MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負(fù)載，支持四象限功能，可提供恒流測(cè)壓及恒壓測(cè)流功能,可簡(jiǎn)化芯片電性能測(cè)試方案。 在生產(chǎn)和老化測(cè)試時(shí)，往往要求在同一時(shí)間內(nèi)完成對(duì)多個(gè)DUT的測(cè)試，或者在單個(gè)DUT上異步或者同步地運(yùn)行多個(gè)測(cè)試任務(wù)?；谄召愃笴

PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者

源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯實(shí)驗(yàn)平臺(tái)以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測(cè)試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)

數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量，使用非常廣泛。 S型數(shù)字源表在一個(gè)半機(jī)架尺寸的儀器中結(jié)合了電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載等功能，這些測(cè)試功能，令數(shù)字源

HCPL100型高電流脈沖電源具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通

數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾乎都能看到，源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實(shí)現(xiàn)各種定制測(cè)量，使用非常廣泛。 S型科研機(jī)構(gòu)專用數(shù)字源表高精度使用直觀的觸摸屏控制和圖標(biāo)化操作界面，令新用戶通過(guò)簡(jiǎn)單操作快速獲取測(cè)試結(jié)果，大大

HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大脈沖電流達(dá)100A，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體

8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測(cè)試 阻值測(cè)試本質(zhì)上是FIMV（加電流測(cè)電壓）或FVMI（加電壓測(cè)電流），獲取IV曲線后計(jì)算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程： 電壓范圍0.3mV~300V，電流范圍100

高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮。A(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量，更

功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢18140663476最大輸出功率：350W，3500

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%

半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高

HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料