蜀山電氣網(wǎng)

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  • 高低溫試驗(yàn)箱 交變濕熱可程式高溫低溫箱

    高低溫試驗(yàn)箱 交變濕熱可程式高溫低溫箱

    產(chǎn)品名稱 高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱 一、產(chǎn)品用途 產(chǎn)品適用于考察 電工電子產(chǎn)品、元器件、零部件及其材料在不同溫濕度條件下,其耐潮濕能力,還可以作為在高低溫環(huán)境下儲(chǔ)存、運(yùn)輸和使用的適應(yīng)性試驗(yàn)。 二、產(chǎn)品規(guī)格(單位:mm) 三、技術(shù)參數(shù) 1.溫度范圍:-70℃~150℃(E)
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    2025-03-12
  • 內(nèi)江母線槽價(jià)格,ZDFC鋼制外殼母線槽

    內(nèi)江母線槽價(jià)格,ZDFC鋼制外殼母線槽

    封閉式母線槽(簡(jiǎn)稱母線槽)是由金屬板(鋼板或鋁板)為保護(hù)外殼、導(dǎo)電排、絕緣材料及有關(guān)附件組成的母線系統(tǒng)。它可制成每隔一段距離設(shè)有插接分線盒的插接型封閉母線,也可制成中間不帶分線盒的饋電型封閉式母線。在高層建筑的供電系統(tǒng)中,動(dòng)力和照明線路往往分開設(shè)置,母線
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    2023-06-23
  • 愛斯ACE干熱滅菌生物指示劑價(jià)格,干熱滅菌指示劑

    愛斯ACE干熱滅菌生物指示劑價(jià)格,干熱滅菌指示劑

    干熱滅菌生物指示劑H6302K由枯草桿菌黑色變種芽孢(ATCC9372)菌片(載體為玻璃纖維,耐高溫)密封在玻璃管內(nèi)的生物指示劑。保存 請(qǐng)?jiān)跍囟?2-25℃、相對(duì)濕度20-80%RH條件下避光保存。生物指示劑應(yīng)避免靠近滅菌器和化學(xué)消毒劑。使用方法 1.將菌片放入干熱滅菌器或者干熱滅菌設(shè)備
    16
    2022-04-12
  • 愛斯ACE干熱滅菌指示劑,長(zhǎng)春愛斯ACE干熱滅菌生物指示劑報(bào)價(jià)

    愛斯ACE干熱滅菌指示劑,長(zhǎng)春愛斯ACE干熱滅菌生物指示劑報(bào)價(jià)

    劑。菌片含菌量為1×106~5×106cfu/片。D值為1.3~1.9分鐘。在溫度為160℃±2℃的條件下,存活時(shí)間≥3.9分鐘,殺滅時(shí)間≤19分鐘。保存 請(qǐng)?jiān)跍囟?2-25℃、相對(duì)濕度20-80%RH條件下避光保存。生物指示劑應(yīng)避免靠近滅菌器和化學(xué)消毒劑。使用方法 1.將菌片放入干熱滅菌器或者干熱滅菌設(shè)
    16
    2022-04-09
  • FOXBORO模塊結(jié)構(gòu)組成

    FOXBORO模塊結(jié)構(gòu)組成

    Foxboro I/A Series? 遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線和現(xiàn)場(chǎng)安裝的 FBM 與傳統(tǒng)的布線方法相比最多可節(jié)約 70% 的布線。可將以太網(wǎng)連接 I/O 放在控制中心內(nèi)的控制處理器和工作站附近,也可以放在控制中心外的現(xiàn)場(chǎng)中靠近過程測(cè)量和控制設(shè)備的地方。I/A Series 系統(tǒng)能夠遠(yuǎn)程處理多種 I/O 類型,包
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    2022-04-08
  • 8通道0-5V采集模塊,模擬量采集模塊

    8通道0-5V采集模塊,模擬量采集模塊

    EMR-AI08系列模塊為RS485型8通道模擬量輸入(AI)模塊,具有4個(gè)分支型號(hào),分別支持0~5V輸入(EMR-AI08-V)、0~10V輸入(EMR-AI08-U)、4~20mA輸入(EMR-AI08-I)、0~20mA輸入(EMR-AI08-X)。EMR-AI08分辨率為12位;AI具有斷線檢測(cè)功能;模擬信號(hào)放大采樣電路與主電路隔離,
    580
    2022-04-02
  • 當(dāng)前城市信息不足,為您推薦其它城市【電氣網(wǎng)】信息
  • 半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)

    半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)

    半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高
    蜀山
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    2025-06-13
  • 高功率源表30A直流100A脈沖

    高功率源表30A直流100A脈沖

    HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料
    蜀山
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    2025-06-13
  • 功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表

    功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表

    P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適
    蜀山
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    2025-06-13
  • 基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色: 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試;示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集
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    2025-06-13
  • 數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線,來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相
    蜀山
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    2025-06-13
  • 高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)
    蜀山
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    2025-06-13
  • 大電流脈沖源表

    大電流脈沖源表

    P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表
    蜀山
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    2025-06-13
  • 汽車電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等)的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù),具有大電流特性、極
    蜀山
    面議
    2025-06-13
  • MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    通常,氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。而且,使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更
    蜀山
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    2025-06-13
  • 半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料
    蜀山
    面議
    2025-06-13
  • 寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn): 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力; 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度; 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便; 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù); 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無需重
    蜀山
    面議
    2025-06-13
  • 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用
    蜀山
    面議
    2025-06-13
  • 電器開關(guān)面板激光打標(biāo)刻字,電線電纜激光雕刻,線纜標(biāo)牌激光雕刻

    電器開關(guān)面板激光打標(biāo)刻字,電線電纜激光雕刻,線纜標(biāo)牌激光雕刻

    維修半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī),維修光纖激光打標(biāo)機(jī),維修CO2激光打標(biāo)機(jī),維修紫外激光打標(biāo)機(jī),維修綠光激光打標(biāo)機(jī),維修流水線激光打標(biāo)機(jī),維修激光切割機(jī) 服務(wù)流程: 1、招喚上門 2、確定設(shè)備故障 3、向用戶明示故障,需要更換的零件及所需費(fèi)用(開工單明示)同時(shí)注明
    蜀山
    面議
    2025-06-12
  • 700千瓦玉柴柴油發(fā)電機(jī)組

    700千瓦玉柴柴油發(fā)電機(jī)組

    玉柴柴油發(fā)電機(jī)組產(chǎn)品特點(diǎn) 1.玉柴柴油機(jī)歷史悠久(始建1951年),產(chǎn)品廣泛用于軍用、民用、船用等領(lǐng)域; 2.玉柴發(fā)電機(jī)組產(chǎn)品所配套動(dòng)力全部采用玉柴自行生產(chǎn)的優(yōu)質(zhì)柴油機(jī); 3.配套電機(jī)均為國(guó)內(nèi)外名牌廠家產(chǎn)品,主要有:凱華、凱捷利、英格、斯坦福、馬拉松、利萊森馬、西
    蜀山
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    2025-05-29
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