WESTCODE可控硅中頻電源N255CH36性能可靠

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

WESTCODE可控硅中頻電源N255CH36性能可靠

可控硅產(chǎn)品性能特點(diǎn)：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)；
2、可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用；
3、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。

可控硅主要參數(shù)：電流
1、額定通態(tài)電流即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2、反向重復(fù)峰值電壓或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏；
3、控制極觸發(fā)電流，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安；
4、在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

晶閘管的注意事項(xiàng)：
1、在檢查大功率器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使可靠地導(dǎo)通；
2、要準(zhǔn)確測(cè)量的關(guān)斷增益，必須有測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果僅供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)；
逆導(dǎo)晶閘管亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；
逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標(biāo)位置不同）。

晶閘管可工作的大頻率由其工作時(shí)的電流脈沖寬度，關(guān)斷時(shí)間以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時(shí)間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時(shí)必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時(shí)間間隔tH>tq，并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高，元件正向損耗和反向恢復(fù)損耗隨之升高，元件通態(tài)電流須降額使用。

可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。