光刻機(jī)ASML CYMER光電模塊組件維修114122

1：436nm g-line

可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn)，對(duì)應(yīng)設(shè)備有接觸式和接近式光刻機(jī)。

2：365nm i-line

同樣可以滿足0.8~0.35微米制程芯片的生產(chǎn)。設(shè)備于上相同。

早期的光刻機(jī)采用接觸式光刻，即掩模貼在硅片上進(jìn)行光刻，容易產(chǎn)生污染，且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機(jī)對(duì)接觸式光刻機(jī)進(jìn)行了改良， 通過氣墊在掩模和硅片間產(chǎn)生細(xì)小空隙，掩模與硅片不再直接接觸，但受氣墊影響，成像的精度不高。

3：248nm KrF

工藝節(jié)點(diǎn)提升至350~180nm水平，在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻，即現(xiàn)在光刻機(jī)通用的，光源通過掩模， 經(jīng)光學(xué)鏡頭調(diào)整和補(bǔ)償后， 以掃描的方式在硅片上實(shí)現(xiàn)曝光。

4：193nm ArF

制程提升至65nm的水平。四代光刻機(jī)是目前使用廣的光刻機(jī)，也是具有代表性的一代光刻機(jī)。